| +25 snabbt | |
| Antal i lager: 133 |
N-kanals transistor BUZ102S, 37A, 52A, 52A, 0.018 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), P-TO263-3-2, 55V
Kvantitet
Enhetspris
1-4
15.76kr
5-24
13.03kr
25-49
10.99kr
50+
9.94kr
| Ekvivalens tillgänglig | |
| Antal i lager: 48 |
N-kanals transistor BUZ102S, 37A, 52A, 52A, 0.018 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), P-TO263-3-2, 55V. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 52A. Idss (max): 52A. Resistans Rds På: 0.018 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): P-TO263-3-2. Spänning Vds(max): 55V. Antal per fodral: 1. C(tum): 1220pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Kanaltyp: N. Kostnad): 410pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 120W. Td(av): 30 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: SIPMOS, PowerMosfet. Typ av transistor: MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 08:57
BUZ102S
19 parametrar
ID (T=100°C)
37A
ID (T=25°C)
52A
Idss (max)
52A
Resistans Rds På
0.018 Ohms
Hölje
D2PAK ( TO-263 )
Hölje (enligt datablad)
P-TO263-3-2
Spänning Vds(max)
55V
Antal per fodral
1
C(tum)
1220pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Kanaltyp
N
Kostnad)
410pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
120W
Td(av)
30 ns
Td(på)
12 ns
Teknik
SIPMOS, PowerMosfet
Typ av transistor
MOSFET
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon Technologies