N-kanals transistor IRFZ48N, TO-220, 32A, 64A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220AB, 55V

N-kanals transistor IRFZ48N, TO-220, 32A, 64A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220AB, 55V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
17.50kr
5-24
14.97kr
25-49
12.97kr
50-99
11.26kr
100+
9.00kr
+25 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 133

N-kanals transistor IRFZ48N, TO-220, 32A, 64A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220AB, 55V. Hölje: TO-220. ID (T=100°C): 32A. ID (T=25°C): 64A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.014 Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avgift: 54nC. Avloppsskydd: zenerdiod. Bostadsmotstånd: 1.6K/W. C(tum): 1970pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Dräneringskälla spänning: 55V. Dräneringsström: 64A. Effekt: 94W. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S Skydd: nej. Grindspänning: 20V, ±20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 210A. Kanaltyp: N. Konditionering: tubus. Kostnad): 470pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 140W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 34 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 68 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 08:13

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFZ48N
38 parametrar
Hölje
TO-220
ID (T=100°C)
32A
ID (T=25°C)
64A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.014 Ohms
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
55V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avgift
54nC
Avloppsskydd
zenerdiod
Bostadsmotstånd
1.6K/W
C(tum)
1970pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Dräneringskälla spänning
55V
Dräneringsström
64A
Effekt
94W
Funktion
Ultra Low On-Resistance
G-S Skydd
nej
Grindspänning
20V, ±20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
210A
Kanaltyp
N
Konditionering
tubus
Kostnad)
470pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
140W
Polaritet
unipolär
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
34 ns
Td(på)
12 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
68 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier