N-kanals transistor AP88N30W, 48A, 48A, 200uA, 48m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V

N-kanals transistor AP88N30W, 48A, 48A, 200uA, 48m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V

Kvantitet
Enhetspris
1-1
141.52kr
2-4
141.52kr
5-24
121.18kr
25-49
110.61kr
50+
90.48kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 29

N-kanals transistor AP88N30W, 48A, 48A, 200uA, 48m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. ID (T=100°C): 48A. ID (T=25°C): 48A. Idss (max): 200uA. Resistans Rds På: 48m Ohms. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 300V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 8440pF. Driftstemperatur: -55°C...+150°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 160A. Kanaltyp: N. Kostnad): 1775pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: 88N30W. Pd (effektförlust, max): 312W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 220 ns. Td(på): 50 ns. Teknik: Enhancement-mode Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Advanced Power. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:25

Teknisk dokumentation (PDF)
AP88N30W
31 parametrar
ID (T=100°C)
48A
ID (T=25°C)
48A
Idss (max)
200uA
Resistans Rds På
48m Ohms
Hölje
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Hölje (enligt datablad)
TO-3P
Spänning Vds(max)
300V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
8440pF
Driftstemperatur
-55°C...+150°C
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Id(imp)
160A
Kanaltyp
N
Kostnad)
1775pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
88N30W
Pd (effektförlust, max)
312W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
220 ns
Td(på)
50 ns
Teknik
Enhancement-mode Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
300 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
Advanced Power

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för AP88N30W