N-kanals transistor IXTQ88N30P, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V

N-kanals transistor IXTQ88N30P, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
165.33kr
5-14
153.08kr
15-29
144.03kr
30+
134.98kr
Antal i lager: 36

N-kanals transistor IXTQ88N30P, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 88A. Idss (max): 1mA. Resistans Rds På: 40m Ohms. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 300V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 6300pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. G-S Skydd: nej. IDss (min): 100uA. Id(imp): 220A. Kanaltyp: N. Kostnad): 950pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 600W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 96 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: PolarHT Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Originalprodukt från tillverkaren: IXYS. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 21:11

Teknisk dokumentation (PDF)
IXTQ88N30P
30 parametrar
ID (T=100°C)
75A
ID (T=25°C)
88A
Idss (max)
1mA
Resistans Rds På
40m Ohms
Hölje
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Hölje (enligt datablad)
TO-3P
Spänning Vds(max)
300V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
6300pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
N-Channel Enhancement Mode
G-S Skydd
nej
IDss (min)
100uA
Id(imp)
220A
Kanaltyp
N
Kostnad)
950pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
600W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
96 ns
Td(på)
25 ns
Teknik
PolarHT Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
250 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
2.5V
Originalprodukt från tillverkaren
IXYS