N-kanals transistor 2SK4108, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V

N-kanals transistor 2SK4108, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
96.36kr
5-9
84.86kr
10-14
77.06kr
15-29
71.35kr
30+
62.34kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 24

N-kanals transistor 2SK4108, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V. ID (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.21 Ohms. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): 2-16C1B. Spänning Vds(max): 500V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 3400pF. Driftstemperatur: -...+150°C. Funktion: Byta regulatorapplikationer. G-S Skydd: ja. IDss (min): n/a. Id(imp): 80A. Kanaltyp: N. Kostnad): 320pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 150W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 280 ns. Td(på): 130 ns. Teknik: Fälteffekttransistor, MOS-typ (MOS VI). Trr-diod (Min.): 1300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:25

Teknisk dokumentation (PDF)
2SK4108
28 parametrar
ID (T=25°C)
20A
Idss (max)
100uA
Resistans Rds På
0.21 Ohms
Hölje
TO-3PN ( 2-16C1B )
Hölje (enligt datablad)
2-16C1B
Spänning Vds(max)
500V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
3400pF
Driftstemperatur
-...+150°C
Funktion
Byta regulatorapplikationer
G-S Skydd
ja
Id(imp)
80A
Kanaltyp
N
Kostnad)
320pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
150W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
280 ns
Td(på)
130 ns
Teknik
Fälteffekttransistor, MOS-typ (MOS VI)
Trr-diod (Min.)
1300 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Toshiba

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för 2SK4108