N-kanals transistor 2SK3679, 9A, 250uA, 1.22 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

N-kanals transistor 2SK3679, 9A, 250uA, 1.22 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
72.42kr
5-9
65.82kr
10-24
60.88kr
25-49
56.97kr
50+
50.23kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 42

N-kanals transistor 2SK3679, 9A, 250uA, 1.22 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 1.22 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 900V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1100pF. Funktion: Höghastighetsomkoppling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 36A. Kanaltyp: N. Kostnad): 140pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: K3679. Pd (effektförlust, max): 95W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 50 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: POWER MOSFET Super FAP-G Series. Temperatur: +150°C. Trr-diod (Min.): 3.2us. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Fuji Electric. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:25

Teknisk dokumentation (PDF)
2SK3679
30 parametrar
ID (T=25°C)
9A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
1.22 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220F
Spänning Vds(max)
900V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
1100pF
Funktion
Höghastighetsomkoppling
G-S Skydd
nej
IDss (min)
25uA
Id(imp)
36A
Kanaltyp
N
Kostnad)
140pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
K3679
Pd (effektförlust, max)
95W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
50 ns
Td(på)
25 ns
Teknik
POWER MOSFET Super FAP-G Series
Temperatur
+150°C
Trr-diod (Min.)
3.2us
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
Fuji Electric

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för 2SK3679