N-kanals transistor FQPF9N90C, 2.8A, 8A, 10uA, 1.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

N-kanals transistor FQPF9N90C, 2.8A, 8A, 10uA, 1.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
43.51kr
5-24
39.42kr
25-49
35.87kr
50-99
33.35kr
100+
28.53kr
Antal i lager: 66

N-kanals transistor FQPF9N90C, 2.8A, 8A, 10uA, 1.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 1.12 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 900V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 2100pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Snabb omkopplare, låg grindladdning 40nC, låg Crss 14pF. G-S Skydd: nej. IDss (min): 10uA. Id(imp): 32A. Kanaltyp: N. Kostnad): 175pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 68W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Td(av): 100 ns. Td(på): 50 ns. Teknik: DMOS, QFET. Trr-diod (Min.): 550 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 16:41

Teknisk dokumentation (PDF)
FQPF9N90C
31 parametrar
ID (T=100°C)
2.8A
ID (T=25°C)
8A
Idss (max)
10uA
Resistans Rds På
1.12 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220F
Spänning Vds(max)
900V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
2100pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Snabb omkopplare, låg grindladdning 40nC, låg Crss 14pF
G-S Skydd
nej
IDss (min)
10uA
Id(imp)
32A
Kanaltyp
N
Kostnad)
175pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
68W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Spec info
Zero Gate Voltage Drain Current
Td(av)
100 ns
Td(på)
50 ns
Teknik
DMOS, QFET
Trr-diod (Min.)
550 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
Fairchild