| Antal i lager: 26 |
N-kanals transistor 2SK2968, 10A, 10A, 1.05 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V
Kvantitet
Enhetspris
1-4
156.48kr
5-9
144.89kr
10-24
126.20kr
25+
116.07kr
| Ekvivalens tillgänglig | |
| Antal i lager: 1 |
N-kanals transistor 2SK2968, 10A, 10A, 1.05 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 10A. Resistans Rds På: 1.05 Ohms. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): 2-16C1B. Spänning Vds(max): 900V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 2150pF. Funktion: DC-DC omvandlare, relä & motordrivning. G-S Skydd: ja. Id(imp): 30A. Kanaltyp: N. Kostnad): 220pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Teknik: FIELD EFFECT MOS Type--(TT-MOS-III). Temperatur: +150°C. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 14/11/2025, 01:03
2SK2968
24 parametrar
ID (T=25°C)
10A
Idss (max)
10A
Resistans Rds På
1.05 Ohms
Hölje
TO-3PN ( 2-16C1B )
Hölje (enligt datablad)
2-16C1B
Spänning Vds(max)
900V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
2150pF
Funktion
DC-DC omvandlare, relä & motordrivning
G-S Skydd
ja
Id(imp)
30A
Kanaltyp
N
Kostnad)
220pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
150W
RoHS
ja
Teknik
FIELD EFFECT MOS Type--(TT-MOS-III)
Temperatur
+150°C
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Toshiba