N-kanals transistor 2SK2717, 5A, 100uA, 2.3 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 2.3 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 900V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 1200pF. Funktion: Hög hastighet, högspänningsomkoppling, DC/DC-omvandlare. G-S Skydd: ja. Id(imp): 15A. Kanaltyp: N. Kostnad): 20pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: K2717. Pd (effektförlust, max): 45W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 200 ns. Td(på): 90 ns. Teknik: Fälteffekttransistor. Temperatur: +150°C. Trr-diod (Min.): 1300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:31