N-kanals transistor 2SK2651, 3A, 6A, 500uA, 1.78 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 900V

N-kanals transistor 2SK2651, 3A, 6A, 500uA, 1.78 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 900V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
52.05kr
5-24
48.26kr
25-49
45.36kr
50+
42.76kr
Antal i lager: 26

N-kanals transistor 2SK2651, 3A, 6A, 500uA, 1.78 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 900V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 1.78 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F15. Spänning Vds(max): 900V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 900pF. Driftstemperatur: -...+150°C. Funktion: Höghastighetsomkoppling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 10uA. Id(imp): 24A. Kanaltyp: N. Kostnad): 130pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 50W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Td(av): 70 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: FAP-IIS Series. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Originalprodukt från tillverkaren: Fuji Electric. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:31

Teknisk dokumentation (PDF)
2SK2651
27 parametrar
ID (T=100°C)
3A
ID (T=25°C)
6A
Idss (max)
500uA
Resistans Rds På
1.78 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220F15
Spänning Vds(max)
900V
Antal per fodral
1
Avloppsskydd
ja
C(tum)
900pF
Driftstemperatur
-...+150°C
Funktion
Höghastighetsomkoppling
G-S Skydd
nej
IDss (min)
10uA
Id(imp)
24A
Kanaltyp
N
Kostnad)
130pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
50W
Port-/källspänning Vgs
30 v
Td(av)
70 ns
Td(på)
25 ns
Teknik
FAP-IIS Series
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3.5V
Originalprodukt från tillverkaren
Fuji Electric