N-kanals transistor 2SK2640, 10A, 10A, 200uA, 0.73 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 500V

N-kanals transistor 2SK2640, 10A, 10A, 200uA, 0.73 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 500V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
113.78kr
5-9
105.35kr
10-24
99.69kr
25+
94.03kr
Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen
Slut i lager
Ekvivalens tillgänglig

N-kanals transistor 2SK2640, 10A, 10A, 200uA, 0.73 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 500V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 200uA. Resistans Rds På: 0.73 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F15. Spänning Vds(max): 500V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 950pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Höghastighetsomkoppling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 10uA. Id(imp): 40A. Kanaltyp: N. Kostnad): 180pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: K2640. Pd (effektförlust, max): 50W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 70 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: FAP-IIS Series MOS-FET. Trr-diod (Min.): 450 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3.5V. Originalprodukt från tillverkaren: Fuji Electric. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:31

Teknisk dokumentation (PDF)
2SK2640
30 parametrar
ID (T=100°C)
10A
ID (T=25°C)
10A
Idss (max)
200uA
Resistans Rds På
0.73 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220F15
Spänning Vds(max)
500V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
950pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Höghastighetsomkoppling
G-S Skydd
nej
IDss (min)
10uA
Id(imp)
40A
Kanaltyp
N
Kostnad)
180pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
K2640
Pd (effektförlust, max)
50W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
70 ns
Td(på)
25 ns
Teknik
FAP-IIS Series MOS-FET
Trr-diod (Min.)
450 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
3.5V
Originalprodukt från tillverkaren
Fuji Electric

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för 2SK2640