N-kanals transistor 2SK2632LS, 1.3A, 2.5A, 1mV, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FI-LS, 800V

N-kanals transistor 2SK2632LS, 1.3A, 2.5A, 1mV, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FI-LS, 800V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
46.26kr
5-9
42.58kr
10-24
39.74kr
25-49
37.49kr
50+
33.36kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 2

N-kanals transistor 2SK2632LS, 1.3A, 2.5A, 1mV, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FI-LS, 800V. ID (T=100°C): 1.3A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 1mV. Resistans Rds På: 3.6 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FI-LS. Spänning Vds(max): 800V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 550pF. Funktion: Ultrahigh-Speed Switching Applications. Germanium diod: nej. Grind/källa spänning (av) max.: 5.5V. Grind/källa spänning (av) min.: 3.5V. IDss (min): -. Kanaltyp: N. Kostnad): 150pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 25W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Td(av): 45 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: V-MOS (F). Typ av transistor: MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Sanyo. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:31

Teknisk dokumentation (PDF)
2SK2632LS
24 parametrar
ID (T=100°C)
1.3A
ID (T=25°C)
2.5A
Idss (max)
1mV
Resistans Rds På
3.6 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220FI-LS
Spänning Vds(max)
800V
Antal per fodral
1
Avloppsskydd
ja
C(tum)
550pF
Funktion
Ultrahigh-Speed Switching Applications
Germanium diod
nej
Grind/källa spänning (av) max.
5.5V
Grind/källa spänning (av) min.
3.5V
Kanaltyp
N
Kostnad)
150pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
25W
Port-/källspänning Vgs
30 v
Td(av)
45 ns
Td(på)
15 ns
Teknik
V-MOS (F)
Typ av transistor
MOSFET
Originalprodukt från tillverkaren
Sanyo

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för 2SK2632LS