N-kanals transistor STP4NB80FP, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V

N-kanals transistor STP4NB80FP, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
21.97kr
5-49
18.16kr
50-99
16.21kr
100+
14.25kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 77

N-kanals transistor STP4NB80FP, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 2.4A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 3 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 800V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 700pF. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 16A. Kanaltyp: N. Kostnad): 95pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 35W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Td(av): 12 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: PowerMESH MOSFET. Temperatur: +150°C. Trr-diod (Min.): 600 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:24

Teknisk dokumentation (PDF)
STP4NB80FP
28 parametrar
ID (T=100°C)
2.4A
ID (T=25°C)
4A
Idss (max)
50uA
Resistans Rds På
3 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220FP
Spänning Vds(max)
800V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
700pF
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Id(imp)
16A
Kanaltyp
N
Kostnad)
95pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
35W
Port-/källspänning Vgs
30 v
Td(av)
12 ns
Td(på)
14 ns
Teknik
PowerMESH MOSFET
Temperatur
+150°C
Trr-diod (Min.)
600 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för STP4NB80FP