N-kanals transistor 2SK2611, 9A, 100uA, 1.1 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 1.1 Ohms. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): 2-16C1B. Spänning Vds(max): 900V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 2040pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: High Speed, H.V. G-S Skydd: ja. Id(imp): 27A. Kanaltyp: N. Kostnad): 190pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: K2611. Pd (effektförlust, max): 150W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 95 ns. Td(på): 60 ns. Teknik: Field Effect (TT-MOSIII). Temperatur: +150°C. Trr-diod (Min.): 1.6us. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:31