Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V - 2SK1529

N-kanals transistor, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V - 2SK1529
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 1 110.21kr 137.76kr
2 - 2 104.70kr 130.88kr
3 - 4 102.49kr 128.11kr
5 - 9 99.19kr 123.99kr
10 - 19 96.98kr 121.23kr
20 - 29 93.67kr 117.09kr
30 - 56 90.37kr 112.96kr
Kvantitet U.P
1 - 1 110.21kr 137.76kr
2 - 2 104.70kr 130.88kr
3 - 4 102.49kr 128.11kr
5 - 9 99.19kr 123.99kr
10 - 19 96.98kr 121.23kr
20 - 29 93.67kr 117.09kr
30 - 56 90.37kr 112.96kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 56
Set med 1

N-kanals transistor, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V - 2SK1529. N-kanals transistor, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 1mA. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): 2-16C1B. Spänning Vds(max): 180V. C(tum): 700pF. Kostnad): 150pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: NINCS. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högeffektförstärkarapplikation. G-S Skydd: NINCS. Märkning på höljet: K1529. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 120W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SJ200. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Fälteffekt Silicon N-Channel MOS-typ. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Grind/källa spänning (av) max.: 2.8V. Grind/källa spänning (av) min.: 0.8V. Originalprodukt från tillverkaren Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 15/05/2025, 01:25.

Motsvarande produkter :

Antal i lager : 146
ECX10N20

ECX10N20

N-kanals transistor, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 10mA. Hölje: ...
ECX10N20
N-kanals transistor, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 10mA. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 200V. Pinout: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(tum): 500pF. Kostnad): 300pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: NINCS. Antal per fodral: 1. Olika: HI-FI effektförstärkare. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: AUDIO POWER Förstärkare MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) ECX10P20. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 100 ns. Teknik: N–CHANNEL POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 14V. Grind/källa spänning (av) max.: 1.5V. Grind/källa spänning (av) min.: 0.15V
ECX10N20
N-kanals transistor, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 10mA. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 200V. Pinout: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(tum): 500pF. Kostnad): 300pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: NINCS. Antal per fodral: 1. Olika: HI-FI effektförstärkare. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: AUDIO POWER Förstärkare MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) ECX10P20. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 100 ns. Teknik: N–CHANNEL POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 14V. Grind/källa spänning (av) max.: 1.5V. Grind/källa spänning (av) min.: 0.15V
Set med 1
143.71kr moms incl.
(114.97kr exkl. moms)
143.71kr

Vi rekommenderar även :

Vi rekommenderar även :

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.