N-kanals transistor 2SK1358, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 300uA. Resistans Rds På: 1.1 Ohms. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 900V. Antal per fodral: 1. C(tum): 1300pF. Driftstemperatur: -...+150°C. Funktion: High Speed, tr--25nS tf--20nS. IDss (min): -. Id(imp): 27A. Kanaltyp: N. Kostnad): 180pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 150W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Td(av): 100 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: Fälteffekttransistor MOS II.5. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 14/11/2025, 01:03