Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 8A, 500uA, 1.5 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 900V - 2SK1217

N-kanals transistor, 8A, 500uA, 1.5 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 900V - 2SK1217
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 1 257.14kr 321.43kr
2 - 2 244.28kr 305.35kr
3 - 4 239.14kr 298.93kr
5 - 9 233.99kr 292.49kr
10 - 14 231.42kr 289.28kr
15 - 19 226.28kr 282.85kr
20+ 218.57kr 273.21kr
Kvantitet U.P
1 - 1 257.14kr 321.43kr
2 - 2 244.28kr 305.35kr
3 - 4 239.14kr 298.93kr
5 - 9 233.99kr 292.49kr
10 - 14 231.42kr 289.28kr
15 - 19 226.28kr 282.85kr
20+ 218.57kr 273.21kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Slut i lager
Set med 1

N-kanals transistor, 8A, 500uA, 1.5 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 900V - 2SK1217. N-kanals transistor, 8A, 500uA, 1.5 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 900V. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Spänning Vds(max): 900V. C(tum): 1400pF. Kostnad): 200pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 1000 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Low Driving Power High Speed Switching. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 23A. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 300 ns. Td(på): 50 ns. Teknik: V-MOS. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Originalprodukt från tillverkaren Fuji Electric. Antal i lager uppdaterad den 07/06/2025, 19:25.

Vi rekommenderar även :

Vi rekommenderar även :

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.