Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 257.14kr | 321.43kr |
2 - 2 | 244.28kr | 305.35kr |
3 - 4 | 239.14kr | 298.93kr |
5 - 9 | 233.99kr | 292.49kr |
10 - 14 | 231.42kr | 289.28kr |
15 - 19 | 226.28kr | 282.85kr |
20+ | 218.57kr | 273.21kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 257.14kr | 321.43kr |
2 - 2 | 244.28kr | 305.35kr |
3 - 4 | 239.14kr | 298.93kr |
5 - 9 | 233.99kr | 292.49kr |
10 - 14 | 231.42kr | 289.28kr |
15 - 19 | 226.28kr | 282.85kr |
20+ | 218.57kr | 273.21kr |
N-kanals transistor, 8A, 500uA, 1.5 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 900V - 2SK1217. N-kanals transistor, 8A, 500uA, 1.5 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 900V. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Spänning Vds(max): 900V. C(tum): 1400pF. Kostnad): 200pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 1000 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Low Driving Power High Speed Switching. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 23A. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 300 ns. Td(på): 50 ns. Teknik: V-MOS. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Originalprodukt från tillverkaren Fuji Electric. Antal i lager uppdaterad den 07/06/2025, 19:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.