Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 124.20kr | 155.25kr |
2 - 2 | 117.99kr | 147.49kr |
3 - 4 | 115.51kr | 144.39kr |
5 - 9 | 111.78kr | 139.73kr |
10 - 14 | 109.30kr | 136.63kr |
15 - 19 | 105.57kr | 131.96kr |
20+ | 101.85kr | 127.31kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 124.20kr | 155.25kr |
2 - 2 | 117.99kr | 147.49kr |
3 - 4 | 115.51kr | 144.39kr |
5 - 9 | 111.78kr | 139.73kr |
10 - 14 | 109.30kr | 136.63kr |
15 - 19 | 105.57kr | 131.96kr |
20+ | 101.85kr | 127.31kr |
N-kanals transistor, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V - 2SK1170. N-kanals transistor, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.27 Ohms. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 2800pF. Kostnad): 780pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 500 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. G-S Skydd: ja. Id(imp): 80A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 120W. Spec info: High speed switching Low drive current. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 200 ns. Td(på): 32 ns. Teknik: V-MOS. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Originalprodukt från tillverkaren Hitachi. Antal i lager uppdaterad den 07/06/2025, 19:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.