N-kanals transistor, 8A, 300uA, 1.5 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 1000V - 2SK1120

N-kanals transistor, 8A, 300uA, 1.5 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 1000V - 2SK1120. N-kanals transistor, 8A, 300uA, 1.5 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 1000V. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 300uA. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): 2-16C1B. Spänning Vds(max): 1000V. C(tum): 1300pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 24A. Märkning på höljet: K1120. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. Spec info: DC-DC-omvandlare och motordrivningsapplikation. Vikt: 4.6g. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: Silicon N Channel Mos. Driftstemperatur: -55...+150°C. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 3.5V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. Originalprodukt från tillverkaren Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 25/07/2025, 14:25.