I lager
IXYS
IXYS IXDD604SIA 4A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET-drivrutin SOIC-8
Produktreferens : IXDD604SIA
Mängdrabatter — Spara när du köper
| Kvantitet | Enhetspris | Spara |
|---|---|---|
| 1+Bästa pris | 47.37 kr | — |
Teknisk beskrivning av produkten (IXDD604SIA):
IXDD604SIA POWER MOSFET-drivrutin 4A SOIC-8. Funktion: Effektiv omkoppling av Power MOSFET och IGBT. Egenskaper: 4A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET-drivrutiner, Hög hastighet. Tidsdata: Tr: 9ns, Tf: 8ns (Cload=1000pF Vcc=18V). Antal stift: 8. ROHS-kompatibel: Ja. Montering: Ytmonterad (SMD). Kapsling: SO. Kapsling (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -40...+125 °C. Vcc: 4.5...35 V. Vcc (drift): 40 V.