Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 81.38kr | 101.73kr |
2 - 2 | 77.31kr | 96.64kr |
3 - 4 | 73.24kr | 91.55kr |
5 - 5 | 69.17kr | 86.46kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 81.38kr | 101.73kr |
2 - 2 | 77.31kr | 96.64kr |
3 - 4 | 73.24kr | 91.55kr |
5 - 5 | 69.17kr | 86.46kr |
IXTA36N30P. C(tum): 2250pF. Kostnad): 370pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. ID (T=25°C): 36A. Idss (max): 200uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 300W. Resistans Rds På: 0.092 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 97 ns. Td(på): 24 ns. Teknik: PolarHTTM Power MOSFET. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263AB ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 300V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 05:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.