Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 40A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V - IXGH40N60B2

N-kanals transistor, 40A,  TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V - IXGH40N60B2
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 1 104.58kr 130.73kr
2 - 2 99.35kr 124.19kr
3 - 4 97.26kr 121.58kr
5 - 9 94.12kr 117.65kr
10 - 19 92.03kr 115.04kr
20 - 29 88.89kr 111.11kr
30+ 85.75kr 107.19kr
Kvantitet U.P
1 - 1 104.58kr 130.73kr
2 - 2 99.35kr 124.19kr
3 - 4 97.26kr 121.58kr
5 - 9 94.12kr 117.65kr
10 - 19 92.03kr 115.04kr
20 - 29 88.89kr 111.11kr
30+ 85.75kr 107.19kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Slut i lager
Set med 1

N-kanals transistor, 40A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V - IXGH40N60B2. N-kanals transistor, 40A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V. Ic(T=100°C): 40A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 2560pF. Kostnad): 180pF. CE-diod: NINCS. Kanaltyp: N. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 75A. Ic(puls): 200A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 130 ns. Td(på): 18 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.7V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Originalprodukt från tillverkaren IXYS. Antal i lager uppdaterad den 13/06/2025, 13:25.

Vi rekommenderar även :

Vi rekommenderar även :

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.