IRLR120N

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	12.24kr	15.30kr
5 - 9	11.63kr	14.54kr
10 - 24	11.02kr	13.78kr
25 - 49	10.41kr	13.01kr
50 - 83	10.16kr	12.70kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	12.24kr	15.30kr
5 - 9	11.63kr	14.54kr
10 - 24	11.02kr	13.78kr
25 - 49	10.41kr	13.01kr
50 - 83	10.16kr	12.70kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 83

Set med 1

IRLR120N. C(tum): 440pF. Kostnad): 97pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 110 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Ekvivalenta: IRLR120NTRPBF. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 48W. Resistans Rds På: 0.185 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 23 ns. Td(på): 4 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Grindstyrning med logiknivå. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 15/01/2025, 22:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!