IRFR9120N

IRFR9120N. C(tum): 350pF. Kostnad): 110pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 26A. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 40W. Resistans Rds På: 0.48 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 28 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 16/01/2025, 07:25.