Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

IRFR420

IRFR420
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 12.74kr 15.93kr
5 - 9 12.10kr 15.13kr
10 - 24 11.47kr 14.34kr
25 - 49 10.83kr 13.54kr
50 - 54 10.57kr 13.21kr
Kvantitet U.P
1 - 4 12.74kr 15.93kr
5 - 9 12.10kr 15.13kr
10 - 24 11.47kr 14.34kr
25 - 49 10.83kr 13.54kr
50 - 54 10.57kr 13.21kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 54
Set med 1

IRFR420. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 8A. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.4A. Idss: 0.025mA. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 42W. Resistans Rds På: 3 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje (enligt datablad): D-PAK TO-252AA. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 16/01/2025, 10:25.

Motsvarande produkter :

Antal i lager : 39
IRFU420

IRFU420

C(tum): 360pF. Kostnad): 92pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion...
IRFU420
C(tum): 360pF. Kostnad): 92pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 8A. ID (T=100°C): 1.4A. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 42W. Resistans Rds På: 3 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 8 ns. Td(på): 33 ns. Teknik: tredje generationens effekt-MOSFET-transistor. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
IRFU420
C(tum): 360pF. Kostnad): 92pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 8A. ID (T=100°C): 1.4A. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 42W. Resistans Rds På: 3 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 8 ns. Td(på): 33 ns. Teknik: tredje generationens effekt-MOSFET-transistor. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
Set med 1
12.84kr moms incl.
(10.27kr exkl. moms)
12.84kr

Vi rekommenderar även :

Antal i lager : 372015
1N4007

1N4007

VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Antal per fodral: 1. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Halvledarmaterial: kis...
1N4007
[LONGDESCRIPTION]
1N4007
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.36kr moms incl.
(0.29kr exkl. moms)
0.36kr
Antal i lager : 58
IR2153

IR2153

obs: Voffset 600V, Vclamp 15.6V. Antal terminaler: 8. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgåend...
IR2153
[LONGDESCRIPTION]
IR2153
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
54.15kr moms incl.
(43.32kr exkl. moms)
54.15kr

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.