Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 14.75kr | 18.44kr |
5 - 9 | 14.02kr | 17.53kr |
10 - 24 | 13.28kr | 16.60kr |
25 - 37 | 12.54kr | 15.68kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 14.75kr | 18.44kr |
5 - 9 | 14.02kr | 17.53kr |
10 - 24 | 13.28kr | 16.60kr |
25 - 37 | 12.54kr | 15.68kr |
IRFD024. C(tum): 640pF. Kostnad): 360pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 88 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 1.8A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 4. Pd (effektförlust, max): 1.3W. Resistans Rds På: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 25 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): DH-1 house, DIP-4. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 00:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.