IRFBG30

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	23.63kr	29.54kr
5 - 9	22.45kr	28.06kr
10 - 24	21.27kr	26.59kr
25 - 49	20.08kr	25.10kr
50 - 99	19.61kr	24.51kr
100 - 171	17.70kr	22.13kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	23.63kr	29.54kr
5 - 9	22.45kr	28.06kr
10 - 24	21.27kr	26.59kr
25 - 49	20.08kr	25.10kr
50 - 99	19.61kr	24.51kr
100 - 171	17.70kr	22.13kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 171

Set med 1

IRFBG30. C(tum): 980pF. Kostnad): 140pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 410 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 12A. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3.1A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 125W. Resistans Rds På: 5 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 89 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 1000V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 17:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!