Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 11.05kr | 13.81kr |
5 - 9 | 10.50kr | 13.13kr |
10 - 24 | 9.95kr | 12.44kr |
25 - 49 | 9.40kr | 11.75kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 11.05kr | 13.81kr |
5 - 9 | 10.50kr | 13.13kr |
10 - 24 | 9.95kr | 12.44kr |
25 - 49 | 9.40kr | 11.75kr |
IRF620. C(tum): 260pF. Kostnad): 100pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 150 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 50W. Resistans Rds På: 0.8 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 19 ns. Td(på): 7.2 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 12/01/2025, 23:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.