Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF540N

N-kanals transistor, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF540N
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 15.50kr 19.38kr
5 - 9 14.72kr 18.40kr
10 - 24 14.26kr 17.83kr
25 - 49 13.95kr 17.44kr
50 - 99 13.64kr 17.05kr
100 - 249 12.42kr 15.53kr
250 - 549 11.98kr 14.98kr
Kvantitet U.P
1 - 4 15.50kr 19.38kr
5 - 9 14.72kr 18.40kr
10 - 24 14.26kr 17.83kr
25 - 49 13.95kr 17.44kr
50 - 99 13.64kr 17.05kr
100 - 249 12.42kr 15.53kr
250 - 549 11.98kr 14.98kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 549
Set med 1

N-kanals transistor, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF540N. N-kanals transistor, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 33A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.044 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 1960pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 115 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 110A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 130W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 39 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren International Rectifier, Infineon (irf). Antal i lager uppdaterad den 08/06/2025, 00:25.

Vi rekommenderar även :

Vi rekommenderar även :

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.