IRF5305

IRF5305. C(tum): 1200pF. Kostnad): 520pF. Kanaltyp: P. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 71 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 31A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 110W. Resistans Rds På: 0.06 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 39 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 00:25.