IRF5210S

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	32.78kr	40.98kr
5 - 9	31.14kr	38.93kr
10 - 24	29.50kr	36.88kr
25 - 37	27.86kr	34.83kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	32.78kr	40.98kr
5 - 9	31.14kr	38.93kr
10 - 24	29.50kr	36.88kr
25 - 37	27.86kr	34.83kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 37

Set med 1

IRF5210S. C(tum): 2860pF. Kostnad): 800pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 170 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 38A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 50uA. Märkning på höljet: F5210S. Pd (effektförlust, max): 3.8W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 72 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 06:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!