Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 11.52kr | 14.40kr |
5 - 9 | 10.94kr | 13.68kr |
10 - 24 | 10.37kr | 12.96kr |
25 - 49 | 9.79kr | 12.24kr |
50 - 99 | 9.56kr | 11.95kr |
100 - 178 | 9.33kr | 11.66kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 11.52kr | 14.40kr |
5 - 9 | 10.94kr | 13.68kr |
10 - 24 | 10.37kr | 12.96kr |
25 - 49 | 9.79kr | 12.24kr |
50 - 99 | 9.56kr | 11.95kr |
100 - 178 | 9.33kr | 11.66kr |
IRF510. C(tum): 180pF. Kostnad): 81pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 5.6A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 43W. Resistans Rds På: 0.54 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 15 ns. Td(på): 6.9ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 00:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.