Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 20.03kr | 25.04kr |
5 - 9 | 19.03kr | 23.79kr |
10 - 24 | 18.03kr | 22.54kr |
25 - 49 | 17.03kr | 21.29kr |
50 - 93 | 16.63kr | 20.79kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 20.03kr | 25.04kr |
5 - 9 | 19.03kr | 23.79kr |
10 - 24 | 18.03kr | 22.54kr |
25 - 49 | 17.03kr | 21.29kr |
50 - 93 | 16.63kr | 20.79kr |
IRF1010N. C(tum): 3210pF. Kostnad): 690pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 69 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 290A. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 85A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 180W. Resistans Rds På: 0.11 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 39 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Används för: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 55V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 17/01/2025, 23:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.