IPD50N03S2L-06

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	24.91kr	31.14kr
5 - 9	23.67kr	29.59kr
10 - 24	22.42kr	28.03kr
25 - 35	21.17kr	26.46kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	24.91kr	31.14kr
5 - 9	23.67kr	29.59kr
10 - 24	22.42kr	28.03kr
25 - 35	21.17kr	26.46kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 35

Set med 1

IPD50N03S2L-06. C(tum): 1900pF. Kostnad): 760pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 40 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Logic Level, Enhancement mode. Id(imp): 200A. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 27uA. IDss (min): 0.01uA. Märkning på höljet: PN03L06. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 136W. Resistans Rds På: 7.6m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 40 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: OptiMOS® Power-Transistor. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 08:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!