FQA19N60

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	75.19kr	93.99kr
2 - 2	71.43kr	89.29kr
3 - 4	67.67kr	84.59kr
5 - 9	63.91kr	79.89kr
10 - 19	62.41kr	78.01kr
20 - 29	60.90kr	76.13kr
30+	58.65kr	73.31kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	75.19kr	93.99kr
2 - 2	71.43kr	89.29kr
3 - 4	67.67kr	84.59kr
5 - 9	63.91kr	79.89kr
10 - 19	62.41kr	78.01kr
20 - 29	60.90kr	76.13kr
30+	58.65kr	73.31kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Slut i lager

Set med 1

FQA19N60. C(tum): 2800pF. Kostnad): 350pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 420 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 74A. ID (T=100°C): 11.7A. ID (T=25°C): 18.5A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (effektförlust, max): 300W. Resistans Rds På: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 150 ns. Td(på): 65 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb växling, låg grindladdning (typisk 44nC). G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 16/01/2025, 01:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!