N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-3PN, 800V, 12.6A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V, 1 - FQA13N80-F109

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-3PN, 800V, 12.6A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V, 1 - FQA13N80-F109. N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-3PN, 800V, 12.6A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V, 1. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3PN. Drain-source spänning Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12.6A. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Spänning Vds(max): 800V. Kapsling (JEDEC-standard): 1. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FQA13N80. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 6.3A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 130 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 320 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3500pF. Maximal förlust Ptot [W]: 300W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 155 ns. Td(på): 60 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Antal i lager uppdaterad den 20/04/2025, 04:25.