FQA13N80-F109

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	99.53kr	124.41kr
2 - 2	94.55kr	118.19kr
3 - 4	89.57kr	111.96kr
5 - 9	84.60kr	105.75kr
10 - 19	82.61kr	103.26kr
20 - 29	80.62kr	100.78kr
30 - 71	77.63kr	97.04kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	99.53kr	124.41kr
2 - 2	94.55kr	118.19kr
3 - 4	89.57kr	111.96kr
5 - 9	84.60kr	105.75kr
10 - 19	82.61kr	103.26kr
20 - 29	80.62kr	100.78kr
30 - 71	77.63kr	97.04kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 71

Set med 1

FQA13N80-F109. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3PN. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FQA13N80. Drain-source spänning Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12.6A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 6.3A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 130 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 320 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3500pF. Maximal förlust Ptot [W]: 300W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 155 ns. Td(på): 60 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Kapsling (JEDEC-standard): 1. Antal i lager uppdaterad den 12/01/2025, 19:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!