Fototransistorer och fotodioder (mottagning)

RoHS: NINCS. Komponentfamilj: PIN-fotodiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: 5mm (T-1 3/4). lapos. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 2. Dominant våglängd [nm]: 850nm. Stängningsspänning Ur[V], max.: 20V. Gör ström, mörkström Ir [µA]: 10nA. Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]: ±75°. Tillkopplingstid tr [μsek.]: 5 ns. Avstängningsfördröjning tf [μsek.]: 5 ns. Ytterdiameter [mm]: 5mm. Yttre längd [mm]: 5mm. Ytterbredd [mm]: 5.9mm. Yttre tjocklek [mm]: 5.9mm. Driftstemperaturområde min (°C): -40°C. Drifttemperaturområde max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: PIN-fotodiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 2. Dominant våglängd [nm]: 900nm. Stängningsspänning Ur[V], max.: 32V. Gör ström, mörkström Ir [µA]: 30nA. Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]: ±60°. Tillkopplingstid tr [μsek.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf [μsek.]: 20 ns. Ytterdiameter [mm]: 5.1mm. Yttre längd [mm]: 6.9mm. Ytterbredd [mm]: 5.1mm. Yttre tjocklek [mm]: 5.1mm. Driftstemperaturområde min (°C): -40°C. Drifttemperaturområde max (°C): +100°C

Fotolöstning: 20uA. Hölje: 3mm (T1). Monteringstyp: THT

obs: 860nm 24°

RoHS: ja. Komponentfamilj: Foto transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: 3mm (T-1). Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 2. Dominant våglängd [nm]: 860nm. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 35V. Samlarström Ic [A], max.: 15mA. Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]: ±12°. Tillkopplingstid tr [μsek.]: 8us. Avstängningsfördröjning tf [μsek.]: 8us. Ytterdiameter [mm]: 3mm. Yttre längd [mm]: 5.2mm. Ytterbredd [mm]: 4mm. Yttre tjocklek [mm]: 4mm. Driftstemperaturområde min (°C): -40°C. Drifttemperaturområde max (°C): +100°C

Komponentfamilj: infraröd fototransistor. Våglängd: 730-1120nm. Detekteringsvinkel: 24°

RoHS: ja. Komponentfamilj: Foto transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: 3mm (T-1). Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 2. Dominant våglängd [nm]: 900nm. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 35V. Samlarström Ic [A], max.: 15mA. Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]: ±12°. Tillkopplingstid tr [μsek.]: 7us. Avstängningsfördröjning tf [μsek.]: 7us. Ytterdiameter [mm]: 3mm. Yttre längd [mm]: 5.2mm. Ytterbredd [mm]: 4mm. Yttre tjocklek [mm]: 4mm. Driftstemperaturområde min (°C): -40°C. Drifttemperaturområde max (°C): +100°C

Kollektorström: 15mA. Ic(puls): 75mA. Antal terminaler: 2. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: PLCC. Hölje (enligt datablad): PLCC-2. Driftstemperatur: -40...+100°C. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 35V

Komponentfamilj: fototransistor för synligt ljus. Diameter: 3mm. Linstyp: transparent. Detekteringsvinkel: 30°

RoHS: ja. Komponentfamilj: Foto transistor. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: 3.5x2.8x1.75mm. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 2. Dominant våglängd [nm]: 940nm. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 70V. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]: ±60°. Tillkopplingstid tr [μsek.]: 6us. Avstängningsfördröjning tf [μsek.]: 6us. Yttre längd [mm]: 3.5mm. Ytterbredd [mm]: 2.8mm. Yttre tjocklek [mm]: 1.75mm. Driftstemperaturområde min (°C): -40°C. Drifttemperaturområde max (°C): +100°C