SFH309FA-4
Kvantitet
Enhetspris
1-99
13.83kr
100+
10.13kr
| Antal i lager: 2782 |
SFH309FA-4. Antal terminaler: 2. Avstängningsfördröjning tf [μsek.]: 7us. Dominant våglängd [nm]: 900nm. Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]: ±12°. Hölje: 3mm (T-1). Kapsling (JEDEC-standard): -. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 35V. Komponentfamilj: fototransistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +100°C.. RoHS: ja. Samlarström Ic [A], max.: 15mA. Tillkopplingstid tr [μsek.]: 7us. Ytterbredd [mm]: 4mm. Ytterdiameter [mm]: 3mm. Yttre längd [mm]: 5.2mm. Yttre tjocklek [mm]: 4mm. Originalprodukt från tillverkaren: Osram Opto Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 20:50
SFH309FA-4
17 parametrar
Antal terminaler
2
Avstängningsfördröjning tf [μsek.]
7us
Dominant våglängd [nm]
900nm
Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]
±12°
Hölje
3mm (T-1)
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
35V
Komponentfamilj
fototransistor
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max temperatur
+100°C.
RoHS
ja
Samlarström Ic [A], max.
15mA
Tillkopplingstid tr [μsek.]
7us
Ytterbredd [mm]
4mm
Ytterdiameter [mm]
3mm
Yttre längd [mm]
5.2mm
Yttre tjocklek [mm]
4mm
Originalprodukt från tillverkaren
Osram Opto Semiconductor