| Antal i lager: 63 |
DSEI12-12A, TO-220, TO-220AC, 11A, 11A, 75A, TO-220AC, 1200V
Kvantitet
Enhetspris
1-4
28.35kr
5-24
25.09kr
25-49
22.60kr
50-99
20.73kr
100+
18.11kr
| +26 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Ekvivalens tillgänglig | |
| Antal i lager: 42 |
DSEI12-12A, TO-220, TO-220AC, 11A, 11A, 75A, TO-220AC, 1200V. Hölje: TO-220. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AC. Framåtström [A]: 11A. Framåtström (AV): 11A. IFSM: 75A. Hölje (enligt datablad): TO-220AC. VRRM: 1200V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Antal terminaler: 2. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Driftstemperatur: -40...+150°C. Framspänning Vf (min): 2.2A. Funktion: "Snabb återhämtning". Halvledarmaterial: kisel. Ifsm [A]: 80A. Komponentfamilj: Snabb likriktardiod (tr<500ns). Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Läckström vid stängning Ir [A]: 250uA..4mA. Max temperatur: +150°C.. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Omkopplingshastighet (regenereringstid) tr [sek.]: 70 ns. Pd (effektförlust, max): 78W. RoHS: ja. Slutspänning (repetitiv) Vrrm [V]: 1.2 kV. Spec info: 75Ap t=10ms, TVJ=150°C. Teknik: "Epitaxial diod". Trr-diod (Min.): 50 ns. Tröskelspänning Vf (max): 2.6V. [V]: 2.6V @ 12A. Originalprodukt från tillverkaren: IXYS. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 11:43
DSEI12-12A
33 parametrar
Hölje
TO-220
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-220AC
Framåtström [A]
11A
Framåtström (AV)
11A
IFSM
75A
Hölje (enligt datablad)
TO-220AC
VRRM
1200V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
Antal terminaler
2
Dielektrisk struktur
Anod-katod
Driftstemperatur
-40...+150°C
Framspänning Vf (min)
2.2A
Funktion
"Snabb återhämtning"
Halvledarmaterial
kisel
Ifsm [A]
80A
Komponentfamilj
Snabb likriktardiod (tr<500ns)
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
50
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Läckström vid stängning Ir [A]
250uA..4mA
Max temperatur
+150°C.
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Omkopplingshastighet (regenereringstid) tr [sek.]
70 ns
Pd (effektförlust, max)
78W
RoHS
ja
Slutspänning (repetitiv) Vrrm [V]
1.2 kV
Spec info
75Ap t=10ms, TVJ=150°C
Teknik
"Epitaxial diod"
Trr-diod (Min.)
50 ns
Tröskelspänning Vf (max)
2.6V
[V]
2.6V @ 12A
Originalprodukt från tillverkaren
IXYS