Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

NPN-transistor, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD680

NPN-transistor, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD680
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 9 5.43kr 6.79kr
10 - 24 5.16kr 6.45kr
25 - 49 4.89kr 6.11kr
50 - 99 4.52kr 5.65kr
100 - 249 4.13kr 5.16kr
250 - 377 4.16kr 5.20kr
Kvantitet U.P
1 - 9 5.43kr 6.79kr
10 - 24 5.16kr 6.45kr
25 - 49 4.89kr 6.11kr
50 - 99 4.52kr 5.65kr
100 - 249 4.13kr 5.16kr
250 - 377 4.16kr 5.20kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 377
Set med 1

NPN-transistor, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD680. NPN-transistor, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorström: 4A. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: ja. Motstånd B: ja. C(tum): TO-126. Kostnad): SOT-32. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: hFE 750. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 40W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. BE-motstånd: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: komplementär transistor (par) BD679. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja. Antal i lager uppdaterad den 21/04/2025, 14:25.

Motsvarande produkter :

Antal i lager : 1298
BD682

BD682

NPN-transistor, TO-126, 100V, 4A, 100V, -100V, -4A. Hölje: TO-126. Kollektor-emitterspänning Uceo ...
BD682
NPN-transistor, TO-126, 100V, 4A, 100V, -100V, -4A. Hölje: TO-126. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 4A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Collector-Emitter Voltage VCEO: -100V. Kollektorström: -4A. Gränsfrekvens ft [MHz]: NF-L. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Pd (effektförlust, max): 40W. Typ av transistor: PNP. Typ av transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: PNP. Typ: Darlington transistor. Inbyggd diod: ja. Effekt: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Spec info: komplementär transistor (par) BD681
BD682
NPN-transistor, TO-126, 100V, 4A, 100V, -100V, -4A. Hölje: TO-126. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 4A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Collector-Emitter Voltage VCEO: -100V. Kollektorström: -4A. Gränsfrekvens ft [MHz]: NF-L. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Pd (effektförlust, max): 40W. Typ av transistor: PNP. Typ av transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: PNP. Typ: Darlington transistor. Inbyggd diod: ja. Effekt: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Spec info: komplementär transistor (par) BD681
Set med 1
7.89kr moms incl.
(6.31kr exkl. moms)
7.89kr
Antal i lager : 4
BD680-DIV

BD680-DIV

NPN-transistor, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorström: 4A. Hölje (enligt databl...
BD680-DIV
NPN-transistor, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorström: 4A. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Pd (effektförlust, max): 40W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP
BD680-DIV
NPN-transistor, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorström: 4A. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Pd (effektförlust, max): 40W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP
Set med 1
5.96kr moms incl.
(4.77kr exkl. moms)
5.96kr

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.