Kvantitet (Set med 10) | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 7.08kr | 8.85kr |
5 - 9 | 6.73kr | 8.41kr |
10 - 12 | 6.37kr | 7.96kr |
Kvantitet (Set med 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 7.08kr | 8.85kr |
5 - 9 | 6.73kr | 8.41kr |
10 - 12 | 6.37kr | 7.96kr |
BC859C. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 420. Kollektorström: 100mA. Ic(puls): 200mA. Märkning på höljet: 3 G. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: screentryck/SMD-kod 3G/4C. Antal i lager uppdaterad den 16/01/2025, 06:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.