Kvantitet (Set med 10) | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 7.00kr | 8.75kr |
5 - 8 | 6.65kr | 8.31kr |
Kvantitet (Set med 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 7.00kr | 8.75kr |
5 - 8 | 6.65kr | 8.31kr |
BC859B. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 475. Minsta hFE-förstärkning: 220. Kollektorström: 100mA. Ic(puls): 200mA. Märkning på höljet: 3F. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: SMD 3F. Antal i lager uppdaterad den 16/01/2025, 06:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.