BAW56, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 1A, SOT-23 ( TO236 ), 80V

BAW56, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 1A, SOT-23 ( TO236 ), 80V

Kvantitet
Enhetspris
10-49
0.33kr
50-99
0.28kr
100-499
0.24kr
500+
0.16kr
+32419 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 2074
Minimum: 10

BAW56, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 1A, SOT-23 ( TO236 ), 80V. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Framåtström (AV): 200mA. IFSM: 1A. Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 80V. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 3. Cj: 2pF. Dielektrisk struktur: gemensam anod. Diod typ: växlingsdiod. Effekt: 350mW. Egenskaper för halvledare: Super Fast Switching. Framspänning Vf (min): 0.715V. Funktion: Ultra High Speed Switching. Halvledarmaterial: kisel. Halvledartyp: diod. Ledningsspänning (tröskelspänning): 1.25V. MRT (max): 50uA. MRT (min): 0.15uA. Max omvänd spänning: 70V, 85V. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: A1s. Obs: screentryck/SMD-kod A1s. Pulsström max.: 2A. Reaktionstid: 4ns, 6ns. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--4.5A t=1us, 1A t=1ms. Temperatur: +150°C. Trr-diod (Min.): 4 ns. Tröskelspänning Vf (max): 1.25V. Tröskelspänning: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 18:01

Teknisk dokumentation (PDF)
BAW56
33 parametrar
Hölje
SOT-23 ( TO-236 )
Framåtström (AV)
200mA
IFSM
1A
Hölje (enligt datablad)
SOT-23 ( TO236 )
VRRM
80V
Antal per fodral
2
Antal terminaler
3
Cj
2pF
Dielektrisk struktur
gemensam anod
Diod typ
växlingsdiod
Effekt
350mW
Egenskaper för halvledare
Super Fast Switching
Framspänning Vf (min)
0.715V
Funktion
Ultra High Speed Switching
Halvledarmaterial
kisel
Halvledartyp
diod
Ledningsspänning (tröskelspänning)
1.25V
MRT (max)
50uA
MRT (min)
0.15uA
Max omvänd spänning
70V, 85V
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
A1s
Obs
screentryck/SMD-kod A1s
Pulsström max.
2A
Reaktionstid
4ns, 6ns
RoHS
ja
Spec info
Ifsm--4.5A t=1us, 1A t=1ms
Temperatur
+150°C
Trr-diod (Min.)
4 ns
Tröskelspänning Vf (max)
1.25V
Tröskelspänning
1V
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon Technologies
Minsta kvantitet
10