Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 9 | 5.92kr | 7.40kr |
10 - 24 | 5.62kr | 7.03kr |
25 - 49 | 5.45kr | 6.81kr |
50 - 99 | 5.33kr | 6.66kr |
100 - 108 | 5.21kr | 6.51kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 5.92kr | 7.40kr |
10 - 24 | 5.62kr | 7.03kr |
25 - 49 | 5.45kr | 6.81kr |
50 - 99 | 5.33kr | 6.66kr |
100 - 108 | 5.21kr | 6.51kr |
NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V - 2SA970-GR. NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 4pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: Lågt brus, ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 200. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.3W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren Div. Antal i lager uppdaterad den 25/07/2025, 14:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.