Zenerdioder

Hölje: PCB-lödning. Hölje: DO-41. Kapsling (JEDEC-standard): DO-204AC. Zenergenomslagsspänning Uz [V], nom.: 56V. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. RoHS: ja. Komponentfamilj: Zenerdiod, effekt 2W (25°C), 5%, ZY-serien. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 2. Läckström vid stängning Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 28V. Zenerimpedans Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 25 Ohms @ 10mA. Driftstemperaturområde min (°C): -50°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Hölje: PCB-lödning. Hölje: DO-41. Kapsling (JEDEC-standard): DO-204AC. Zenergenomslagsspänning Uz [V], nom.: 6.2V. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Zenerspänning: 6.2V. RoHS: ja. Komponentfamilj: Zenerdiod, effekt 2W (25°C), 5%, ZY-serien. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 2. Läckström vid stängning Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 1.5V. Zenerimpedans Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 1 Ohms @ 100mA. Driftstemperaturområde min (°C): -50°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Pd (effektförlust, max): 2W. Hölje: DO-41. Hölje (enligt datablad): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspänning: 6.2V. Antal per fodral: 1. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Halvledarmaterial: kisel. Antal terminaler: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerans: 5%. Driftstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 6.2V

Pd (effektförlust, max): 2W. Hölje: DO-41. Hölje (enligt datablad): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspänning: 62V. Antal per fodral: 1. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Halvledarmaterial: kisel. Antal terminaler: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerans: 5%. Driftstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 62V

Hölje: PCB-lödning. Hölje: DO-15. Kapsling (JEDEC-standard): DO-204AC. Zenergenomslagsspänning Uz [V], nom.: 68V. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Zenerdiod, effekt 2W (25°C), 5%, ZY-serien. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 2. Läckström vid stängning Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 34V. Zenerimpedans Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 25 Ohms @ 10mA. Driftstemperaturområde min (°C): -50°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Pd (effektförlust, max): 2W. Hölje: DO-41. Hölje (enligt datablad): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspänning: 7.5V. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Halvledarmaterial: kisel. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerans: 5%. Driftstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 7.5V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Hölje: PCB-lödning. Hölje: DO-41. Kapsling (JEDEC-standard): DO-204AC. Zenergenomslagsspänning Uz [V], nom.: 8.2V. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Zenerspänning: 8.2V. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Zenerdiod, effekt 2W (25°C), 5%, ZY-serien. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 2. Läckström vid stängning Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 3.5V. Zenerimpedans Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 1 Ohms @ 100mA. Driftstemperaturområde min (°C): -50°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. VRRM: 8.2V

Hölje: PCB-lödning. Hölje: DO-41. Kapsling (JEDEC-standard): DO-204AC. Zenergenomslagsspänning Uz [V], nom.: 82V. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Zenerdiod, effekt 2W (25°C), 5%, ZY-serien. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 2. Läckström vid stängning Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 41V. Zenerimpedans Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 30 Ohms @ 10mA. Driftstemperaturområde min (°C): -50°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Pd (effektförlust, max): 2W. Hölje: DO-41. Hölje (enligt datablad): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspänning: 9.1V. Antal per fodral: 1. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Halvledarmaterial: kisel. Antal terminaler: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerans: 5%. Driftstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 9.1V