Zenerdioder

Framåtström (AV): 20mA. Tolerans: 5%. VRRM: 51V

Framåtström (AV): 130mA. Tolerans: 5%. VRRM: 8.2V

Hölje: PCB-lödning. Hölje: DO-41. Kapsling (JEDEC-standard): DO-204AC. Zenergenomslagsspänning Uz [V], nom.: 10V. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Zenerspänning: 10V. RoHS: ja. Komponentfamilj: Zenerdiod, effekt 2W (25°C), 5%, ZY-serien. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 2. Läckström vid stängning Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 5V. Zenerimpedans Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 2 Ohms @ 50mA. Driftstemperaturområde min (°C): -50°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. VRRM: 10V

Pd (effektförlust, max): 2W. Hölje: DO-41. Hölje (enligt datablad): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspänning: 100V. Antal per fodral: 1. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Halvledarmaterial: kisel. Antal terminaler: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerans: 5%. Driftstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 100V

Pd (effektförlust, max): 2W. Hölje: DO-41. Hölje (enligt datablad): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspänning: 110V. Antal per fodral: 1. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Halvledarmaterial: kisel. Antal terminaler: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerans: 5%. Driftstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 110V

Pd (effektförlust, max): 2W. Hölje: DO-41. Hölje (enligt datablad): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspänning: 12V. Antal per fodral: 1. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Halvledarmaterial: kisel. Antal terminaler: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerans: 5%. Driftstemperatur: -50...+150°C

Pd (effektförlust, max): 2W. Hölje: DO-41. Hölje (enligt datablad): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspänning: 120V. Antal per fodral: 1. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Halvledarmaterial: kisel. Antal terminaler: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerans: 5%. Driftstemperatur: -50...+150°C

Hölje: PCB-lödning. Hölje: DO-41. Kapsling (JEDEC-standard): DO-204AC. Zenergenomslagsspänning Uz [V], nom.: 13V. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. RoHS: ja. Komponentfamilj: Zenerdiod, effekt 2W (25°C), 5%, ZY-serien. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 2. Läckström vid stängning Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 7V. Zenerimpedans Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 5 Ohms @ 50mA. Driftstemperaturområde min (°C): -50°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Pd (effektförlust, max): 2W. Hölje: DO-41. Hölje (enligt datablad): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspänning: 130V. Antal per fodral: 1. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Halvledarmaterial: kisel. Antal terminaler: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerans: 5%. Driftstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 130V

Hölje: PCB-lödning. Hölje: DO-41. Kapsling (JEDEC-standard): DO-204AC. Zenergenomslagsspänning Uz [V], nom.: 15V. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Zenerspänning: 15V. RoHS: ja. Komponentfamilj: Zenerdiod, effekt 2W (25°C), 5%, ZY-serien. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 2. Läckström vid stängning Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Zenerimpedans Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 5 Ohms @ 50mA. Driftstemperaturområde min (°C): -50°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Pd (effektförlust, max): 2W. Hölje: DO-41. Hölje (enligt datablad): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspänning: 150V. Antal per fodral: 1. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Halvledarmaterial: kisel. Märkning på höljet: Z150. Antal terminaler: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerans: 5%. Driftstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 150V

Pd (effektförlust, max): 2W. Hölje: DO-41. Hölje (enligt datablad): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspänning: 160V. Antal per fodral: 1. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Halvledarmaterial: kisel. Antal terminaler: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerans: 5%. Driftstemperatur: -50...+150°C

Hölje: PCB-lödning. Hölje: DO-41. Kapsling (JEDEC-standard): DO-204AC. Zenergenomslagsspänning Uz [V], nom.: 18V. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Zenerspänning: 18V. RoHS: ja. Komponentfamilj: Zenerdiod, effekt 2W (25°C), 5%, ZY-serien. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 2. Läckström vid stängning Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Zenerimpedans Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 6 Ohms @ 25mA. Driftstemperaturområde min (°C): -50°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Hölje: PCB-lödning. Hölje: DO-15. Kapsling (JEDEC-standard): DO-204AC. Zenergenomslagsspänning Uz [V], nom.: 180V. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Zenerspänning: 180V. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Zenerdiod, effekt 2W (25°C), 5%, ZY-serien. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 2. Läckström vid stängning Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 90V. Zenerimpedans Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 120 Ohms @ 5mA. Driftstemperaturområde min (°C): -50°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Hölje: PCB-lödning. Hölje: DO-15. Kapsling (JEDEC-standard): DO-204AC. Zenergenomslagsspänning Uz [V], nom.: 20V. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Zenerdiod, effekt 2W (25°C), 5%, ZY-serien. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 2. Läckström vid stängning Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Zenerimpedans Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 6 Ohms @ 25mA. Driftstemperaturområde min (°C): -50°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Pd (effektförlust, max): 2W. Hölje: DO-41. Hölje (enligt datablad): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspänning: 200V. Antal per fodral: 1. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Halvledarmaterial: kisel. Märkning på höljet: Z200. Antal terminaler: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerans: 5%. Driftstemperatur: -50...+150°C

Pd (effektförlust, max): 2W. Hölje: DO-41. Hölje (enligt datablad): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspänning: 22V. Antal per fodral: 1. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Halvledarmaterial: kisel. Antal terminaler: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerans: 5%. Driftstemperatur: -50...+150°C

Hölje: PCB-lödning. Hölje: DO-41. Kapsling (JEDEC-standard): DO-204AC. Zenergenomslagsspänning Uz [V], nom.: 24V. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Zenerspänning: 24V. RoHS: ja. Komponentfamilj: Zenerdiod, effekt 2W (25°C), 5%, ZY-serien. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 2. Läckström vid stängning Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 12V. Zenerimpedans Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 7 Ohms @ 25mA. Driftstemperaturområde min (°C): -50°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Hölje: PCB-lödning. Hölje: DO-41. Kapsling (JEDEC-standard): DO-204AC. Zenergenomslagsspänning Uz [V], nom.: 27V. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Zenerspänning: 27V. RoHS: ja. Komponentfamilj: Zenerdiod, effekt 2W (25°C), 5%, ZY-serien. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 2. Läckström vid stängning Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 14V. Zenerimpedans Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 7 Ohms @ 25mA. Driftstemperaturområde min (°C): -50°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. VRRM: 27V

Pd (effektförlust, max): 2W. Hölje: DO-41. Hölje (enligt datablad): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspänning: 30 v. Antal per fodral: 1. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Halvledarmaterial: kisel. Antal terminaler: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerans: 5%. Driftstemperatur: -50...+150°C

Pd (effektförlust, max): 2W. Hölje: DO-41. Hölje (enligt datablad): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspänning: 33V. Antal per fodral: 1. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Halvledarmaterial: kisel. Antal terminaler: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerans: 5%. Driftstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 33V

Zenerspänning: 36V. Hölje: DO-15. Diod typ: Zenerdiod. Effekt: 2W

Hölje: PCB-lödning. Hölje: DO-15. Kapsling (JEDEC-standard): DO-204AC. Zenergenomslagsspänning Uz [V], nom.: 39V. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. RoHS: ja. Komponentfamilj: Zenerdiod, effekt 2W (25°C), 5%, ZY-serien. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 2. Läckström vid stängning Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 20V. Zenerimpedans Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 20 Ohms @ 10mA. Driftstemperaturområde min (°C): -50°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Pd (effektförlust, max): 2W. Hölje: DO-41. Hölje (enligt datablad): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspänning: 47V. Antal per fodral: 1. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Halvledarmaterial: kisel. Antal terminaler: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerans: 5%. Driftstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 47V

Pd (effektförlust, max): 2W. Hölje: DO-41. Hölje (enligt datablad): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspänning: 5.6V. Antal per fodral: 1. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Halvledarmaterial: kisel. Antal terminaler: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerans: 5%. Driftstemperatur: -50...+150°C