SI4448DY-T1-E3

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	10.89kr	13.61kr
5 - 9	10.35kr	12.94kr
10 - 24	9.80kr	12.25kr
25 - 49	9.26kr	11.58kr
50 - 99	9.04kr	11.30kr
100 - 100	8.82kr	11.03kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	10.89kr	13.61kr
5 - 9	10.35kr	12.94kr
10 - 24	9.80kr	12.25kr
25 - 49	9.26kr	11.58kr
50 - 99	9.04kr	11.30kr
100 - 100	8.82kr	11.03kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 100

Set med 1

SI4448DY-T1-E3. C(tum): 12350pF. Kostnad): 2775pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 84 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Power MOSFET. Id(imp): 70A. ID (T=100°C): 26A. ID (T=25°C): 32A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 7.8W. Resistans Rds På: 17m Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 240 ns. Td(på): 38 ns. Teknik: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 12V. Port-/källspänning Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V. Antal per fodral: 1. Spec info: Id--40...50A t=10s with FR4 board. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 15:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!