Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

SI2319CDS-T1-GE3

SI2319CDS-T1-GE3
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 8.99kr 11.24kr
5 - 9 8.54kr 10.68kr
10 - 24 8.10kr 10.13kr
25 - 49 7.65kr 9.56kr
50 - 99 7.47kr 9.34kr
100 - 249 5.84kr 7.30kr
250 - 2000 5.55kr 6.94kr
Kvantitet U.P
1 - 4 8.99kr 11.24kr
5 - 9 8.54kr 10.68kr
10 - 24 8.10kr 10.13kr
25 - 49 7.65kr 9.56kr
50 - 99 7.47kr 9.34kr
100 - 249 5.84kr 7.30kr
250 - 2000 5.55kr 6.94kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 2000
Set med 1

SI2319CDS-T1-GE3. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: P7. Drain-source spänning Uds [V]: -40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.1A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohm @ -4.4A. Gate haverispänning Ugs [V]: -2.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 60 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 27 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 595pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.8W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 15:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.