SI2309CDS-T1-GE3

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	13.56kr	16.95kr
5 - 9	12.88kr	16.10kr
10 - 24	12.20kr	15.25kr
25 - 49	11.53kr	14.41kr
50 - 99	11.25kr	14.06kr
100 - 249	6.85kr	8.56kr
250 - 6102	6.51kr	8.14kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	13.56kr	16.95kr
5 - 9	12.88kr	16.10kr
10 - 24	12.20kr	15.25kr
25 - 49	11.53kr	14.41kr
50 - 99	11.25kr	14.06kr
100 - 249	6.85kr	8.56kr
250 - 6102	6.51kr	8.14kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 6102

Set med 1

SI2309CDS-T1-GE3. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): MS-012. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: N9. Drain-source spänning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.2A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.34 Ohms @ -1.25A. Gate haverispänning Ugs [V]: -3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 60 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 25 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 210pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.7W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 15:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!