SI2306BDS-T1-E3

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	6.02kr	7.53kr
5 - 9	5.72kr	7.15kr
10 - 24	5.42kr	6.78kr
25 - 49	5.12kr	6.40kr
50 - 99	5.00kr	6.25kr
100 - 249	4.88kr	6.10kr
250 - 6822	4.63kr	5.79kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	6.02kr	7.53kr
5 - 9	5.72kr	7.15kr
10 - 24	5.42kr	6.78kr
25 - 49	5.12kr	6.40kr
50 - 99	5.00kr	6.25kr
100 - 249	4.88kr	6.10kr
250 - 6822	4.63kr	5.79kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 6822

Set med 1

SI2306BDS-T1-E3. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: L6. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.057 Ohms @ 2.8A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 25 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 305pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.8W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 15:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!